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大面積薄膜太陽(yáng)能電池量子效率測(cè)量系統(tǒng)

  • 產(chǎn)品型號(hào)：SolarCellScan 10-Film
  • 產(chǎn)品時(shí)間：2024-05-19
  • 簡(jiǎn)要描述：卓立漢光研發(fā)生產(chǎn)的大面積薄膜太陽(yáng)能電池量子效率測(cè)量系統(tǒng)為 新產(chǎn)品，作為一款太陽(yáng)能電池量子效率檢測(cè)系統(tǒng)，與以往不同的是其采用薄膜太陽(yáng)能電池，是一款用于大面積太陽(yáng)能電池光譜響應(yīng)和量子效率測(cè)定大的實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。

  • 產(chǎn)品介紹

        在市場(chǎng)硅原材料持續(xù)緊張的背景下，薄膜太陽(yáng)電池已成為光伏市場(chǎng)發(fā)展的新趨勢(shì)和新熱點(diǎn)。與傳統(tǒng)的單晶、多晶硅電池的制備工藝不同，制備大面積的薄膜太陽(yáng)能電池成為可能。

SolarCellScan 10-Film是一款用于大面積太陽(yáng)能電池光譜響應(yīng)和量子效率測(cè)試的實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。它采用光纖輸出，結(jié)合大行程三維位移臺(tái)?？梢詫?shí)現(xiàn)對(duì) 大500mm*500mm面積的各種材料太陽(yáng)能電池的光譜響應(yīng)度、外量子效率、內(nèi)量子效率、反射率、表面均勻度、擴(kuò)散長(zhǎng)度、短路電流密度測(cè)量等參數(shù)的自動(dòng)量測(cè)功能。
主要特點(diǎn)：
■ 全光譜太陽(yáng)光模擬（300~2000nm），測(cè)試的光伏材料拓展至近紅外
■ 單色光源可選擇氙燈、鎢燈
■ 偏置光路適合多結(jié)及多層膜電池測(cè)量
■ 一鍵式全自動(dòng)多結(jié)電池測(cè)試功能
■ 快速M(fèi)apping掃描功能，<30min（156mmX156mm，1mm step）
■ 一體化設(shè)計(jì)操作更方便，系統(tǒng)更穩(wěn)定
■ 提供完善的QE/IPCE分析手段
■ 提供LBIC高分辨率多波長(zhǎng)激光模塊功能選項(xiàng)
 （分辨率<250um，波長(zhǎng)405nm、532nm、650nm、808nm、845nm、980nm）
 
氙燈、鎢燈以及自動(dòng)氙燈鎢燈復(fù)合光源可選
根據(jù)IEC推薦標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)太陽(yáng)電池進(jìn)行光譜響應(yīng)測(cè)試，紫外區(qū)推薦使用氙燈（<400nm），而對(duì)可見(jiàn)與近紅外區(qū)則推薦使用鎢燈光源。系統(tǒng)有150W氙燈、150W溴鎢燈和氙燈鎢燈復(fù)和光源三種模式可選，滿足您的各種測(cè)試需求。
 
多功能的偏置光附件
系統(tǒng)提供偏置光源附件。偏置光源是太陽(yáng)能電池量子效率測(cè)量時(shí)的有用附件，它提供給樣品一個(gè)用戶可調(diào)節(jié)的測(cè)試環(huán)境。在開(kāi)放式的偏置光路上，系統(tǒng)預(yù)留了若干光學(xué)元件夾持器，用戶可以根據(jù)測(cè)量需要自行加裝衰減片、濾光片等，也可搭配六檔自動(dòng)濾光片輪安裝不同的濾光片實(shí)現(xiàn)多結(jié)太陽(yáng)電池的自動(dòng)測(cè)量。多結(jié)太陽(yáng)電池的用戶強(qiáng)烈建議選配偏置光源附件
在某些情況下，改變偏置光強(qiáng)度可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電池缺陷的分析。例如，如上圖所示為一個(gè)低效率CIGS的在不同偏置光下的QE曲線。改變偏置光的強(qiáng)度850nm區(qū)域的QE發(fā)生變化，說(shuō)明在CdS/CIGS界面有一個(gè)導(dǎo)帶偏移（“尖峰”）。這種耗盡層會(huì)阻止光生電子的產(chǎn)生，除非是在CdS界面吸收足夠多的藍(lán)光光子以降低界面耗盡層的影響。而下圖的實(shí)驗(yàn)偏置光的作用更加明顯，說(shuō)明在CdS/CIGS界面存在另一個(gè)較大的耗盡層，插圖中的IV曲線也說(shuō)明了這個(gè)耗盡層的存在。
通過(guò)對(duì)偏置光增加不同的濾光片可實(shí)現(xiàn)多結(jié)電池的測(cè)試，如下圖所示分別為雙結(jié)與三結(jié)電池的QE曲線。搭配六檔自動(dòng)濾光片輪，系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)對(duì)多結(jié)電池的全自動(dòng)測(cè)試。
在偏置光使用700nm高通濾光片實(shí)現(xiàn)對(duì) 結(jié)的QE曲線的測(cè)試；使用500nm低通濾光片實(shí)現(xiàn)對(duì)第二結(jié)的測(cè)試；使用900nm低通濾光片則實(shí)現(xiàn)對(duì)第三結(jié)的測(cè)試。InGaP/GaAs/GE
藍(lán)光結(jié)測(cè)試對(duì)偏置光使用800nm高通濾光片，紅光結(jié)則對(duì)偏置光使用500nm低通濾光片。
 
快速M(fèi)apping功能
   采用自主研發(fā)的高靈敏度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，可以分別實(shí)現(xiàn)AC與DC兩種模式的快速M(fèi)apping功能，并可一次掃描同時(shí)得到QE（LBIC）、反向率、內(nèi)量子效率、DL（Diffission Length）的Mapping數(shù)據(jù)。針對(duì)高分辨率應(yīng)用，更換多波長(zhǎng)激光光源和聚焦系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)<250um分辨率的Mapping。
LBIC-125mmX125mm-400nm
LBIC-125mmX125mm-650nm
LBIC-125mmX125mm-950nm
 
 
    以上三組Mapping數(shù)據(jù)分別為用400nm、650nm和950nm對(duì)同一電池片進(jìn)行的QE/LBIC（Light Beam Induced Current）掃描。用650nm和950nm掃描結(jié)果顯示電池片的均勻性較好，而400nm的數(shù)據(jù)則在樣品的邊緣部分呈現(xiàn)明顯的不均勻性。這是由于不同波長(zhǎng)激發(fā)片在樣品中的穿透深度不同，藍(lán)光的穿透深度較淺，較容易反映出材料在制備過(guò)程中的問(wèn)題。而長(zhǎng)波長(zhǎng)的光由于穿透深度較深，適合于對(duì)擴(kuò)散長(zhǎng)度的計(jì)算。
Reflectivity-125mmX125mm-550nm
上圖為單晶硅電池反射率的mapping數(shù)據(jù)，呈現(xiàn)出明顯的不均勻性，反映了電池在酸洗過(guò)程中，對(duì)酸液清洗不完整，影響了制絨后的反射率的均勻性。
IQE-160mmX160mm-550nm
上圖為對(duì)6吋單晶硅樣品進(jìn)行的IQE mapping數(shù)據(jù)，可以明顯看到在右上角部分和底部部分區(qū)域效率效低，存在缺陷。
 
人性化的樣品臺(tái)設(shè)計(jì)
積累10年自動(dòng)平臺(tái)設(shè)計(jì)生產(chǎn)制造經(jīng)驗(yàn)，針對(duì)大面積薄膜電池設(shè)計(jì)兩維各500mm掃描范圍，光斑大小通過(guò)聚焦離焦自動(dòng)可調(diào)，*QE測(cè)試使用需求，可任意定位單點(diǎn)測(cè)量QE曲線，可自定義掃描兼具完成QE Mapping測(cè)量，自動(dòng)平臺(tái)掃描控制使用卓立自主研發(fā)高速程序與硬件，結(jié)合高速數(shù)據(jù)采集，可以實(shí)現(xiàn)0.5mm間距條件下，每秒可掃描20點(diǎn)的高速掃描，對(duì)制程品質(zhì)監(jiān)控提供 快速的分析手段。
 
 
 
 
 
 
系統(tǒng)規(guī)格：

項(xiàng)   目
指標(biāo)和說(shuō)明
光源
150W氙燈光纖輸出,光學(xué)穩(wěn)定度≦0.8%，可工作在斬波模式,
測(cè)試光斑尺寸
3mm~10mm
單色儀
三光柵DSP掃描單色儀
波長(zhǎng)范圍
300nm～2000nm
波長(zhǎng)準(zhǔn)確度
a） ±0.3nm（1200g/mm,300nm） 
b） ±0.6nm（600g/mm,500nm）
c） ±0.8nm（300g/mm,1250nm）
掃描間隔
小可至0.1nm
輸出波長(zhǎng)帶寬
<5 nm
多級(jí)光譜濾除裝置
根據(jù)波長(zhǎng)自動(dòng)切換，消除多級(jí)光譜的影響
光調(diào)制頻率
4 - 400 Hz
標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器
標(biāo)配標(biāo)準(zhǔn)硅探測(cè)器，InGaAs探測(cè)器,含校正報(bào)告
偏置光源
150W Xenon Lamp 光纖輸出
數(shù)據(jù)采集裝置靈敏度
直流模式：100nA；交流模式：2nV
測(cè)量重復(fù)精度
對(duì)太陽(yáng)光譜曲線積分重復(fù)性在±1%以內(nèi)
測(cè)量速度
單次光譜響應(yīng)掃描<1min，IPCE完整測(cè)試<5min （步長(zhǎng)5nm）
X Y 自動(dòng)工作臺(tái)
300x300mm 或 500x500mm
單波長(zhǎng) QE Mapping
速度：20 Point/Second @ 0.5 mm Step

 
 
選型表

SCS10-X150-F300
150W Xenon arc lamp for probe source, optical stability ≦0.8%, Adjust mechanism: It can easy remove chopper from probe light
a）  ± 0.3nm;1200g/mm, blaze 300nm （1st grating）
b）  ± 0.6nm;600g/mm, blaze 500nm （2nd grating）
c）  ± 0.8nm;300g/mm, blaze 1250nm （3rd grating）
6 Position Filter Wheel（200-2000nm）
DC mode（Data Acquisition System with Pre Amplifier ）
AC mode（ Lock-In Amplifier ）
Chopper
Short current preamplifier
Calibrated Si Detector
Calibrated InGaAs Detector
150W Xenon Bias Light Source with fiber output, White bias light source, optical stability ≦0.8%, with 1 inch Filter Wheel
XY Stage for QE Uniformity Scanning, 300mm x300mm
SCS10-X150-F500
XY Stage for QE Uniformity Scanning, 500mm x500mm
SCS10-T150-F300
150W Tungsten-Halogen Light Source instead of Xenon 150W Light Source. XY Stage for QE Uniformity Scanning, 500mm x500mm
SCS10-T150-F500
150W Tungsten-Halogen Light Source instead of Xenon 150W Light Source. XY Stage for QE Uniformity Scanning, 500mm x500mm

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