光電探測器的分類：
光電探測器分為光電二管、雪崩光電管、四象限探測器、位敏探測器、波長感應探測器。
1.光電二管（PIN）：應用于一般通用場合。針對特殊應用，可以增加探測器信號放大和探測器前置濾光片；
2.雪崩光電管（APD)：主要用于微弱信號場合，同時具備快速響應能力，可以提供各種尺寸和封裝類型；
3.四象限探測器（Quadrant）：由一個四激活區(qū)域的芯片組成，主要應用于位置傳感；
4.位敏探測器（PSD）：入射光能量轉換為位置相對的連續(xù)電流輸出，位置信號是相對于入射光的“光學中心”；
5.波長敏感探測器（WS）：用于檢測單色光波長或復合光的峰值波長，光譜分辨率可達0.01nm。
應用范圍：安全防護，激光測距，工業(yè)控制，分析儀器，航天，醫(yī)療設備，光通訊。
光電探測器噪聲分類：
光電探測器噪聲包括：散彈噪聲、熱噪聲、產生-復合噪聲、1/f噪聲和溫度噪聲等；
1.散彈噪聲：由于光電探測器在光輻射作用或熱激發(fā)下，光電子或載流子隨機產生造成的。存在于真空發(fā)射管和半導體器件中，屬于白噪聲；
2.熱噪聲：暗電流大小與偏壓、溫度及反向飽和電流密切相關。PN結外加正向偏壓，暗電流隨外加電壓增大成指數急劇增大，遠大于光電流，因此加正偏壓無意義。PN結外加反向偏壓，暗電流隨反向偏壓增大有所增大，后等于反向飽和電流，其值遠小于光電流；
3.產生-復合噪聲：半導體中載流子產生與復合的隨機性而引起的載流子濃度的起伏。與散彈噪聲本質相同，都是由于載流子隨機起伏所致，所以有時將該噪聲歸并為散彈噪聲。不是白噪聲，低頻限噪聲。是光電探測器的主要噪聲源；
4.1/f噪聲：（又稱電流噪聲、閃爍噪聲或過剩噪聲），低頻噪聲，幾乎所有探測器都存在。探測器表面工藝狀態(tài)對該噪聲影響很大。頻譜近似與頻率成反比。主要出現在1kHz以下的低頻區(qū)，工作頻率大于1kHz時，與其他噪聲相比可忽略；
5.倍增噪聲：光電倍增管；
6.雪崩噪聲：雪崩光電二管；
7.溫度噪聲：熱探測器本身吸收和傳導等熱交換引起的溫度起伏。
光電探測器測試系統(tǒng)介紹：
一、系統(tǒng)的主要測試功能：
1.固定圖案噪聲和瞬時噪聲；
2.響應率和探測率；
3.動態(tài)范圍/線性度；
4.NETD；
5.非均勻性校正；
6.壞像元定位；
7.光譜響應；
8.串音/MTF。
二、組成：
測試系統(tǒng)包括三個基本單元：
1.一個帶支撐的光學平臺；
2.一個帶多種支架的控制柜；
3.一臺計算機：帶有視頻采集卡，數據采集和處理的軟件。
三、光學機械單元：
1.一個光學平臺，規(guī)格1.25m×1.25m；
2.一個高溫腔式黑體和一個差分黑體（可見 /紅外源）；
3.一個單色儀，一個光學調制盤和一個熱釋電探測器（用于測量光譜響應）；
4.一個針孔靶標和一套水平/垂直狹縫靶標（用于測量串音和MTF）；
5.一套光學系統(tǒng)，用于將靶標聚焦在探測器上；
6.三維電動調節(jié)移動臺用于探測器的定位；
7.一塊連接探測器和控制柜的電路板。
四、控制機柜：
控制機柜包含以下單元：
1.偏置電壓發(fā)生器；
2.時鐘信號發(fā)生器；
3.鎖相放大器；
4.低噪聲的模數轉換器；
5.三維電動調節(jié)移動臺控制器；
6.光學調制盤控制器；
7.差分黑體控制器；
8.高溫腔式黑體控制器；
五、計算機和軟件：
計算機配置了視頻采集卡。采用windows操作系統(tǒng)軟件具有如下功能：
1.器件設置：單元/多元器件，像元數，幀頻，積分時間，像元大小，視場角，壞像元的定義準則；
2.偏置電壓和時鐘信號的設置；
3.像元重組；
4.瞬時噪聲和固定圖案噪聲的測量；
5.響應率，探測率和NETD計算；
6.動態(tài)范圍和線性度；
7.壞像元定位；
8.非均勻性校正；
9.光譜響應曲線；
10.MTF曲線；
11.串音；
12.選擇所需的區(qū)域；
13. 圖形旋轉，放大，自動范圍；
14. 存儲圖像。
以下為卓立提供的光譜測量用探測器：
一、PMTH-S1-(x)系列側窗型光電倍增管
主要特點：
1.側窗式，具有電、磁、光屏蔽；
2.可與我公司生產的光譜儀系列、樣品室等匹配連接；
3.通過標準BNC插頭輸出信號；
4.通過專用耐高壓BNC插頭輸入穩(wěn)定高壓；
5.可內置多種型號的側窗型光電倍增管；
6.電流輸出模式；
7.電壓輸出模式可供選擇（具體請洽詢）；
8.推薦配合高壓穩(wěn)壓電源使用，可達到較佳的效果。
二、DSi系列硅光電探測器
——室溫型探測器，使用范圍：200-1100nm
兩種型號的探測器室的外觀相同，其中：
1.DSi200型內裝進口紫敏硅光電探測器；
2.DSi300型內裝進口藍光增強型硅光電探測器；
3.推薦配合I-V放大器（型號：ZAMP）使用。
兩種型號硅光電探測器的光譜響應度曲線圖
三、銦鎵砷探測器（InGaAs）
——室溫型近紅外探測器，使用范圍：0.8-1.7μm（2.6μm）
1.DInGaAs1600型內裝國產小面積InGaAs元件；
2.DInGaAs1650型內裝國產大面積InGaAs元件；
3.DInGaAs1700-R03M型內裝進口InGaAs元件；
4.DInGaAs1700型內裝進口大面積InGaAs元件；
5.DInGaAs2600型內裝進口InGaAs元件。
光譜響應度曲線參考圖（虛線為國產InGaAs元件光譜響應度曲線，實線為進口元件）
